- self-aligned metal-oxide-semiconductor
- Makarov: (gate) SAMOS
Универсальный русско-английский словарь. Академик.ру. 2011.
self-aligned metal-oxide-semiconductor
Смотреть что такое "self-aligned metal-oxide-semiconductor" в других словарях:
Metal Oxide Semiconductor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
self-aligned gate metal-nitride-oxide-semiconductor transistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate metal nitride oxide semiconductor transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
Metal gate — A metal gate, in the context of a lateral Metal Oxide Semiconductor MOS stack, is just that the gate material is made from a metal. For decades, the industry had moved away from metal as the gate material in the MOS stack due to fabrication… … Wikipedia
Zinc oxide — Other names Zinc white Calamine Identifiers … Wikipedia
transistor à structure métal-nitrure-oxyde-semi-conducteur à grille auto-alignée — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate metal nitride oxide semiconductor transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
History of the single-lens reflex camera — The history of the single lens reflex camera predates the invention of photography in 1826/27 by one and a half centuries with the use of a reflex mirror in a camera obscura first described in 1676. Such SLR devices were popular as drawing aids… … Wikipedia
Intel 4004 — Processeur Intel 4004 Le 4004 d Intel est le premier microprocesseur commercialisé[1],[2]. Ave … Wikipédia en Français
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
